三星量产第二代LPDDR4X内存：1y nm、性能不变、功耗再降10%

今天三星在官网正式宣布，第二代10nm级别工艺的LPDDR4X内存已经大规模量产，这款产品专门是针对高端智能手机以及对功耗敏感的额移动设备开发的，可以保持原本LPDDR高达4266MHz速度下，功耗再降低10%。

我们都知道现今手机内存容量突飞猛进，4GB已经是低端机配置，高端机型以及是标配6GB、8GB的样子，而且性能也越来越强，速度越来越快，在最新的JESD209-4B标准中，规定了LPDDR4X内存工作频率最高可达4266MHz，同时工作电压进一步下降至0.6V水平，可以极大地降低工作功耗。

而三星量产的第二代1y nm级别工艺的LPDDR4X内存虽然工作频率没有在提升，可以实现34.1GB/s的带宽，相比起第一代1x nm的LPDDR4X内存要省10%的电，而且整体封装厚度还可以降低20%。而三星计划随着产能提高后，将会迅速推出4GB、6GB以及8GB容量的LPDDR4X内存。

三星内存销售、市场部高级副总裁Sewon Chun表示，10nm级别的移动DRAM将会成为新一代旗舰手机的最佳选择方案，最快可以在今年年底或者2019年初看到有相关设备采用第二代LPDDR4内存，同时还将会继续发展高容量、高性能、低功耗的内存产品，满足市场所需，加强三星内存业务竞争力。

目前三星已经开始研究下一代LPDDR5内存。（注意，三星所说的20nm、10nm级别其实是工艺节点统称，包含了20-29nm或者10-19nm不同工艺，而且工艺节点衡量标准与CPU晶体管也有所不同）